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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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區(qū)域提純后的金屬鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 ?厘米時，純度相當(dāng)于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，香檳金靶材，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，香檳金靶材廠家，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數(shù)值。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式，就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，香檳金靶材價格，陶瓷化合物等。
熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，香檳金靶材報價，同時以1000℃～1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)時間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
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第9年
